Мощность | 8GB-256GB |
---|---|
Соглашение | HS400 |
Прочитанная скорость | До 330 МБ/с |
Напишите скорость | До 240 МБ/с |
Операционная температура | -40°C~+85°C/-45°C~+105°C |
Мощность | 8GB-512GB |
---|---|
Используется для | Умный телефон/ встроенная материнская плата/ планшетный компьютер |
Прочитанная скорость | До 330 МБ/с |
Напишите скорость | До 240 МБ/с |
Операционная температура | -25°C~+85°C |
Рабочая температура | -25°C к +85°C |
---|---|
NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
Цвет | Черный |
интерфейс | HS400, HS200, HS, DDR |
Случайный напишите скорость | До 10 000 IOPS |
Мощность | 8 Гб, 16 Гб, 32 Гб, 64 Гб, 128 Гб, 256 Гб, 512 Гб. |
---|---|
Качество | 100% оригинальный |
Случайный напишите скорость | До 10 000 IOPS |
Напряжение | 2.7V-3.6V |
Цвет | Черный |
NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
---|---|
Вафля | КИОКСИА пластины промышленного класса |
Рабочая температура | -25°C к +85°C |
стандартный | ЕММК 5.1 |
Протокол | HS400 |
Протокол | HS400 |
---|---|
Напряжение | 2.7V-3.6V |
Особенности | Усовершенствованное выравнивание износа, управление плохими блоками, поддержка TRIM, защита от потер |
Производитель | СТРАНИЦА |
Цвет | Черный |
Рабочая температура | -25°C к +85°C |
---|---|
NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
Цвет | Черный |
интерфейс | HS400, HS200, HS, DDR |
Случайный напишите скорость | До 10 000 IOPS |
Производитель | СТРАНИЦА |
---|---|
Рабочая температура | -25°C к +85°C |
Протокол | HS400 |
NAND Flash | MLC/TLC/QLC |
Случайный напишите скорость | До 10 000 IOPS |
Производитель | СТРАНИЦА |
---|---|
Протокол | HS400 |
Напряжение | 2.7V-3.6V |
интерфейс | HS400, HS200, HS, DDR |
Особенности | Усовершенствованное выравнивание износа, управление плохими блоками, поддержка TRIM, защита от потер |
Вафля | КИОКСИА пластины промышленного класса |
---|---|
Качество | 100% оригинальный |
Особенности | Усовершенствованное выравнивание износа, управление плохими блоками, поддержка TRIM, защита от потер |
Состояние | Новый |
Мощность | 8 Гб, 16 Гб, 32 Гб, 64 Гб, 128 Гб, 256 Гб, 512 Гб. |